P-AlGaN相关论文
自Ga N基材料被成功制备以来,以Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及其固溶体制备的LED迅速成为人们的研究热点。LED以其长寿命、节能、高稳定性......
在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p-AlGaN电子阻挡层和反对称n-AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/G......
在蓝宝石衬底上,利用金属-有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备p-i-n结构AlGaN基体,采用常规工艺制作台面型紫外探测器。电子束蒸发......
在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p—AlGaN层上生长了Ni／Au和Pd／Au，并在600—850℃温度下进行快速热退火，测量其退火前后传输线模型......
在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表......
